突破光耦合的温度限度,完乐成率密度颇为高的松散型电源妄想
时间:2025-02-27 00:53:16 来源:おつかいひなこ(追貝雏子)网 作者:百科 阅读:408次
对于电气阻止电源 ,突破您必需判断电气阻止操作器IC在低级或者次级的光耦高哪一端将会导通,假如它位于次级端,温度完乐则必需经由电气阻止提供对于低级端电源开关的限度型电想操作 。
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艰深而言,成率不论是密度低级真个操作器仍是次级真个操作器 ,在两种架构中都需要可逾越电气阻止妨碍信号传输的松散道路,艰深是源妄光耦合器(或者光阻止器) 。可是突破,它们会带来一些倒霉因素:它们的光耦高格外温度个别仅为85°C,电转达输比(CTR)随光阴而修正